Phương pháp cvd là gì? Các công bố khoa học về Phương pháp cvd
CVD là viết tắt của Chemical Vapor Deposition, một phương pháp sản xuất các lớp mỏng vật liệu bằng cách sử dụng phản ứng hóa học của các chất hữu cơ và hơi hoặc...
CVD là viết tắt của Chemical Vapor Deposition, một phương pháp sản xuất các lớp mỏng vật liệu bằng cách sử dụng phản ứng hóa học của các chất hữu cơ và hơi hoặc khí trong môi trường không khí hoặc áp suất cao. Phương pháp này thường được sử dụng để tạo ra các lớp mỏng kim loại, oxit, nitrit, karbonit và silicat trên các bề mặt vật liệu rắn. CVD có thể được thực hiện ở nhiệt độ cao hoặc thấp tùy thuộc vào liệu pháp và ứng dụng cụ thể.
CVD là một quá trình quan trọng trong công nghiệp sản xuất điện tử và vật liệu hiện đại. Phương pháp này được sử dụng để tạo ra các lớp mỏng chất bán dẫn silicon và các oxit phức tạp như silicat và alumina trên các vi mạch điện tử, cảm biến và bộ cảm biến. CVD cũng được sử dụng để tạo ra các lớp công nghệ cao như các lớp phủ chống trầy xước, chịu nhiệt, và chịu hóa chất.
CVD có thể được phân loại thành các dạng sau:
1. CVD hóa hơi (Thermal CVD): Sử dụng nhiệt độ cao từ 500°C trở lên để kích thích các phản ứng hóa học.
2. CVD plasma (Plasma-Enhanced CVD): Sử dụng sự ion hóa hoặc kích thích plasma để tạo ra các loại hóa chất phản ứng, giảm nhiệt độ và tăng tốc độ phản ứng.
3. CVD áp suất thấp (Low Pressure CVD): Sử dụng áp suất thấp để tạo ra lớp mỏng.
4. CVD ngưng tụ hóa hơi (Metal Organic CVD - MOCVD): Sử dụng hợp chất hữu cơ của kim loại để phản ứng và tạo ra lớp mỏng kim loại trên bề mặt.
Phương pháp CVD cung cấp khả năng kiểm soát chính xác độ dày và thành phần của lớp mỏng, dẫn đến sản phẩm chất lượng cao cho nhiều ứng dụng công nghiệp.
Phương pháp CVD cho phép sản xuất các lớp mỏng với độ dày từ vài nanomet đến vài micron, và cung cấp khả năng định hình chính xác và kiểm soát kích thước của lớp phủ. CVD cũng có thể được sử dụng để tạo ra các mô hình phức tạp, bao gồm cả các cấu trúc nano và mô hình 3D.
Ứng dụng chính của CVD bao gồm sản xuất vi mạch điện tử, cảm biến và bộ cảm biến, cũng như sản xuất các vật liệu chịu nhiệt, chịu ăn mòn và chịu mài mòn cho ngành công nghiệp. CVD cũng đã được sử dụng rộng rãi trong sản xuất pin mặt trời và đèn LED để tạo ra các lớp mạ đặc biệt với hiệu suất cao.
Tuy nhiên, phương pháp CVD cũng có một số hạn chế, bao gồm các yêu cầu nghiêm ngặt về độ phẳng của bề mặt phủ, cũng như vấn đề về quản lý và loại bỏ an toàn các chất thải hóa học liên quan đến quá trình sản xuất.
Danh sách công bố khoa học về chủ đề "phương pháp cvd":
Tổng hợp cacbon nano ống bằng phương pháp kết tụ hóa học trong pha hơi sử dụng ethane làm nguồn cacbon
Cacbon nano ống (CNTs) đã được quan tâm bởi cộng đồng khoa học kể từ thời điểm công bố kết quả của hai nhóm nghiên cứu S. Iijima và D.S. Bethune vào năm 1993. Nhờ vào những tính chất ưu việt của CNTs mà chúng được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Kết tụ hóa học trong pha hơi (CVD) là phương pháp thường được sử dụng trong tổng hợp CNTs vì có nhiều ưu điểm. Ở nghiên cứu này, tác giả đã sử dụng phương pháp CVD với nguồn cacbon là ethane và xúc tác Fe/γ-Al2O3 để tổng hợp CNTs. Đánh giá tính chất của sản phẩm thu được bằng các phương pháp phân tích hóa lý hiện đại như hấp phụ đẳng nhiệt nitơ lỏng và tính toán bề mặt riêng theo phương pháp BET, XPS, SEM và TEM. Ảnh hưởng của việc sử dụng khí mang lên tính chất sản phẩm cũng đã được khảo sát.
#CNTs #Phương pháp CVD #xúc tác Fe/γ-Al2O3 #phổ quang điện tử tia X (XPS) #BET #kính hiển vi điện tử quét (SEM) #kính hiển vi điển tử truyền qua (TEM)
TỔNG HỢP CARBON NANO SỢI TRÊN CÁC CHẤT MANG CÓ CẤU TRÚC
Cacbon nano sợi đã được nghiên cứu ứng dụng cho nhiều lĩnh vực khác nhau trong những thập niên vừa qua nhờ vào tính chất ưu việt của chúng. Tuy nhiên, quá trình tổng hợp thường thu được CNFs với kích thước nanomet, do đó khi sử dụng làm chất mang cho xúc tác cho các thiết bị phản ứng thì sẽ gặp phải một số nhược điểm như khó khăn trong việc phân tách xúc tác ra khỏi sản phẩm sau phản ứng, hay trở lực lớn khi sử dụng CNFs trong thiết bị với tầng xúc tác cố định. Ở nghiên cứu này, CNFs đã được tổng hợp lên bề mặt một số loại vật liệu nhằm tạo ra vật liệu composite có bề mặt riêng đủ lớn, với hình dạng và kích thước mong muốn, có thể sử dụng làm chất mang cho xúc tác hoặc chất hấp phụ trong các thiết bị tầng xúc tác cố định. Hình thái bề mặt của composite đã được nghiên cứu bằng kính hiển vi điện tử quét, còn bề mặt riêng đã được xác định bằng phương pháp hấp phụ - giải hấp phụ đẳng nhiệt nitơ.
#CNFs #composite #BET #SEM. #phương pháp CVD
Tổng hợp với hiệu suất cao carbon nano ống bằng phương pháp lắng đọng từ pha hơi và sử dụng hơi nước
Tạp chí Khoa học và Công nghệ Việt Nam (bản B) - Tập 59 Số 9 - 2017
Trong hơn 2 thập niên vừa qua, vật liệu carbon nano ống (CNTs) đã thu hút sự quan tâm của nhiều nhà khoa học trên thế giới. Nhờ vào những tính chất đặc biệt mà chúng được ứng dụng trong nhiều lĩnh vực khác nhau. Ở nghiên cứu này, CNTs được tổng hợp bằng phương pháp kết tụ hóa học trong pha hơi (CVD - Chemical vapor deposition) trên chất xúc tác Fe/γ-Al2O3 sử dụng khí dầu mỏ hóa lỏng (LPG) làm nguồn carbon và có sự tham gia của hơi nước thay cho hydro trong môi trường phản ứng với chức năng làm sạch sản phẩm. Hiệu suất thu sản phẩm lên đến 434% khối lượng so với khối lượng của xúc tác được sử dụng sau 2 giờ tổng hợp. Ảnh thu được bằng kính hiển vi điện tử quét (SEM) và kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM) cho thấy sản phẩm CNTs có đường kính ống khá đồng nhất. Diện tích bề mặt riêng BET của sản phẩm được xác định bằng phương pháp hấp phụ, giải hấp phụ đẳng nhiệt nitơ. Ngoài ra, mức độ khuyết tật của vật liệu CNTs đã được đánh giá bằng quang phổ Raman và thành phần nguyên tố được phân tích bằng quang phổ điện tử tia X (XPS).
#BET #CNTs #phương pháp CVD #Raman #SEM #TEM #XPS
ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ ĐẾN CẤU TRÚC VÀ TÍNH CHẤT QUANG CỦA MÀNG MỎNG ZnO ĐƯỢC LẮNG ĐỌNG BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVD TỪ TIỀN CHẤT KẼM AXETYLAXETONAT
Zinc oxide thin films were prepared on glass substrate by CVD method from zinc acetylacetonate precursor. The effect of temperature on the structural and optical properties of the ZnO films was investigated by x-ray diffraction (XRD), SEM, UV-Vis and photoluminescence spectra methods. The structural analyses of the films indicate they are polycrystalline and have a wurtzite (hexagonal) structure. The ZnO films deposited at higher temperatures shows a stronger orientation of the crystallites with (0002) plane parallel to the substrate surface, as compared with the ZnO films deposited at lower temperatures. The measured direct band gap energy of ZnO films deposited at 250, 300 and 500oC were 3,29, 3,28 and 3,28 eV, respectively.
Tính chất của lớp SiO2 được lắng đọng bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học quang (photo-CVD) và ứng dụng của nó trong các cảm biến quang tầm tia cực tím (UV) dựa trên GaN Dịch bởi AI
Journal of Electronic Materials - Tập 32 - Trang 395-399 - 2003
Các lớp cách điện SiO2 chất lượng cao đã được lắng đọng thành công lên vật liệu GaN bằng kỹ thuật lắng đọng hơi hóa học quang (photo-CVD) sử dụng đèn deuterium (D2) làm nguồn kích thích. Mật độ trạng thái bẫy trên giao diện, Dit, được ước tính là 8.4×1011 cm−2eV−1 cho các lớp SiO2 photo-CVD được chuẩn bị ở 300°C. Kết quả cho thấy dòng dò chỉ là 6.6×10−7 A/cm2 với trường điện được áp dụng 4 MV/cm đối với tụ điện bán dẫn cách điện kim loại (MIS) Al/SiO2/GaN được lắng đọng bằng photo-CVD ở 300°C. Ngoài ra, lớp SiO2 photo-CVD còn có khả năng làm giảm dòng tối cho các cảm biến quang dựa trên nitrua. Tỷ lệ tương phản giữa dòng quang và dòng tối lớn hơn ba bậc độ lớn và hiệu suất tối đa đạt 0.12 A/W đã được quan sát từ các cảm biến UV MIS indium tin oxide (ITO)/photo-SiO2/GaN được chế tạo. Hơn nữa, các thông số tương ứng về công suất tương đương tiếng ồn (NEP) và độ nhạy chuẩn hóa, D*, của các cảm biến ITO/photo-SiO2/GaN MIS UV của chúng tôi lần lượt là 2.19×10−9 W và 2.03 × 108 cmHz0.5W−1, tương ứng với băng thông cho trước là 500 Hz.
#SiO2 #lắng đọng hơi hóa học quang #photo-CVD #GaN #cảm biến UV #dòng dò
Lớp phủ B4C/Ni được chuẩn bị bằng phương pháp phun lạnh từ bột trộn hoặc bột được phủ CVD Dịch bởi AI
Journal of Thermal Spray Technology - Tập 21 - Trang 561-570 - 2012
Trong nghiên cứu này, các cấu trúc vi mô của lớp phủ B4C/Ni được tạo ra bằng phương pháp phun lạnh với các hỗn hợp bột hoặc bột phủ Ni bằng hơi hóa học (CVD) đã được điều tra và so sánh. Các hỗn hợp bột bao gồm bột Ni và bột B4C thô hoặc mịn đã được chuẩn bị với tỷ lệ B4C khác nhau từ 54 đến 87 vol.% (tương đương 25-65 wt.%). Ba lô bột B4C được phủ Ni bằng CVD cũng được tổng hợp với tỷ lệ B4C khác nhau, sử dụng B4C mịn làm hạt nhân. Các bột phủ Ni và cấu trúc vi mô của cả hai loại lớp phủ phun lạnh với bột trộn hoặc bột được phủ đã được khảo sát bằng kính hiển vi quang học và kính hiển vi điện tử quét. Phân tích hình ảnh định lượng thêm đã được thực hiện trên hình ảnh kính hiển vi điện tử quét (SEM) để đo lường hàm lượng B4C trong lớp phủ liên quan đến ảnh hưởng của hàm lượng định mức trong nguyên liệu đầu vào cho mỗi loại lớp phủ. Cả hai loại đều xuất hiện các mảnh vụn mịn và B4C không bị phân mảnh, nhưng lớp phủ với bột được phủ CVD có nhiều hạt không bị phân mảnh hơn. Hơn nữa, mức độ B4C (44.0 ± 4.1 vol.%) và độ cứng vi mô của lớp phủ (429 ± 41 HV0.5) cao hơn được ghi nhận trong trường hợp bột được phủ CVD. Tuy nhiên, được đánh giá rằng độ cứng vi mô cao nhất không đạt được cho hàm lượng B4C cao nhất. Kết quả không rõ này được thảo luận liên quan đến cấu trúc tổ hợp ban đầu hoàn toàn đạt được từ bột B4C được phủ Ni CVD.
#B4C #Ni #lớp phủ composite #phun lạnh #bột phủ CVD
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG MỎNG OXIT Er¬2O3 BẰNG PHƯƠNG PHÁP MOCVD TỪ TIỀN CHẤT Er(acac)3.phen
Vietnam Journal of Chemistry - Tập 49 Số 3 - 2012
In this paper, we report the structural and morphological properties of Er2O3 thin film grown on glass via metal-organic chemical vapor deposition method by making use Er(acac)3.phen as the precusor. Some characterations of as-deposited and after-annealed films have been investigated by XRD and SEM methods. The obtained results shown that film annealed at 450oC is crystallined with cubic phase and partical gains were calculated to be around 10 nm by the scherrer equation.
Các phép đo ứng suất tại chỗ trong quá trình tăng trưởng trực tiếp GaN trên SiC bằng phương pháp MOCVD Dịch bởi AI
Journal of Materials Research - Tập 30 - Trang 2900-2909 - 2015
Các phép đo độ cong tại chỗ được sử dụng để so sánh sự phát triển của ứng suất của các lớp màng GaN được trồng trực tiếp trên 6H-SiC thông qua phương pháp tăng trưởng nhiệt độ hai bước với các lớp màng được trồng với lớp đệm AlN. Quá trình tăng trưởng nhiệt độ hai bước bao gồm một lớp GaN ban đầu ở nhiệt độ thấp và một lớp GaN chính ở nhiệt độ cao. Đối với GaN được trồng trực tiếp trên 6H-SiC, lớp nhiệt độ cao bắt đầu quá trình tăng trưởng dưới tác động của ứng suất nén, sau đó chuyển sang ứng suất kéo. Các lớp màng được trồng trực tiếp trên 6H-SiC cho thấy sự giảm mật độ khiếm khuyết xoắn (TD) và cải thiện độ nhám bề mặt so với quá trình trồng trên lớp đệm AlN. Hơn nữa, kính hiển vi điện tử truyền qua của GaN được trồng trực tiếp trên 6H-SiC đã tiết lộ sự hiện diện chủ yếu của khiếm khuyết TD loại (a + c) cùng với các lỗi xếp chồng mặt phẳng cơ bản và các lỗi xếp chồng dạng trụ $\left\{{11\bar 20} \right\}$. Các vết nứt rãnh đã được quan sát thấy trong lớp màng GaN khi không sử dụng lớp đệm AlN. Điều này được cho là do ứng suất kéo do sự không khớp của hệ số giãn nở nhiệt gây ra.
#GaN #6H-SiC #ứng suất nén #ứng suất kéo #khiếm khuyết xoắn #lớp đệm AlN #kính hiển vi điện tử truyền qua.
ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ ĐẾN CẤU TRÚC, CÁC TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐIỆN CỦA MÀNG Cu2O ĐƯỢC LẮNG ĐỌNG BẰNG PHƯƠNG PHÁP CVD TỪ TIỀN CHẤT Cu(II) AXETYLAXETONAT
The Cu2O thin films were prepared on glass substrate by chemical vapour deposition method. The influences of deposited temperature on the structural, optical and electrical properties of deposited films were investigated by XRD, SEM, UV-VIS spectra and Hall Effect measurement. The X-ray diffraction results show that Cu2O thin films have polycrystalline structure. It is also found that the (200) and (111) preferred Cu2O films can be modified by changing substrate temperature. The bandgap of Cu2O films deposited at 240, 280 and 320oC is found to be 2,59 eV, 2,59 eV and 2,57 eV, respectively. Cu2O film deposited at 240oC has carrier concentration of 5,1721013 cm-3, Hall mobility of 85,44 cm2/Vs and resistivity of 1.413x103 .
Tổng số: 9
- 1